K4S561633F-ZL75 vs K4S561633FZN75 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4S561633F-ZL75 بواسطة Samsung Electronics و K4S561633FZN75 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K4S561633F-ZL75 K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 Nrnd

مقارنة المواصفات

المعامل K4S561633F-ZL75 K4S561633FZN75
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة NRND NRND
نوع الذاكرة Synchronous DRAM (Mobile SDRAM) Mobile SDRAM (Synchronous DRAM)
Density 256 Mbit (268,435,456 bits) 256 Mbit (268,435,456 bits)
التنظيم 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits (4M x 16 x 4 banks) 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits
Operating Frequency (max) 133 MHz —
Clock Access Time 5.4 ns —
Speed Grade ZL75 (7.5 ns / CAS Latency 3, 133 MHz) —
Supply Voltage (VDD) 3.3 V —
I/O Standard LVCMOS-compatible —
Number of Banks 4 —
Burst Length 1, 2, 4, 8, Full Page 1, 2, 4, 8, full page (programmable)
Burst Type Sequential or Interleave —
زمن الوصول CAS Programmable, 2 or 3 Programmable, 2 or 3
العلبة 54-ball FBGA (54-BOC) / TFBGA 54-ball FBGA (54BOC)
نوع التركيب Surface Mount —
RoHS / Lead-Free Pb-Free (per -L75 suffix) —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature grade] Commercial grade (per -ZN75 suffix)
Clock Frequency — 133 MHz
معدل البيانات — PC133 (SDRAM)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 3.0 V (typ); 2.7 V-3.3 V range
الواجهة — LVCMOS
Process Technology — Samsung high-performance CMOS
Refresh — Auto-Refresh and Self-Refresh
Power Modes — Power-Down mode, Partial Array Self-Refresh (PASR)
Lead-Free / RoHS — Pb-free (lead-free) - per '-ZN' suffix
Bank Architecture — 4 internal banks
Row Address — A0-A12 (13-bit)
Data Width — x16 (DQ0-DQ15)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر