K4S561633F-ZL75 vs K4S561633FZN75 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4S561633F-ZL75 بذریعہ Samsung Electronics اور K4S561633FZN75 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4S561633F-ZL75 K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 Nrnd

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4S561633F-ZL75 K4S561633FZN75
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت NRND NRND
میموری ٹائپ Synchronous DRAM (Mobile SDRAM) Mobile SDRAM (Synchronous DRAM)
Density 256 Mbit (268,435,456 bits) 256 Mbit (268,435,456 bits)
تنظیم 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits (4M x 16 x 4 banks) 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits
Operating Frequency (max) 133 MHz —
Clock Access Time 5.4 ns —
Speed Grade ZL75 (7.5 ns / CAS Latency 3, 133 MHz) —
Supply Voltage (VDD) 3.3 V —
I/O Standard LVCMOS-compatible —
Number of Banks 4 —
Burst Length 1, 2, 4, 8, Full Page 1, 2, 4, 8, full page (programmable)
Burst Type Sequential or Interleave —
CAS لیٹنسی Programmable, 2 or 3 Programmable, 2 or 3
پیکیج 54-ball FBGA (54-BOC) / TFBGA 54-ball FBGA (54BOC)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
RoHS / Lead-Free Pb-Free (per -L75 suffix) —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature grade] Commercial grade (per -ZN75 suffix)
Clock Frequency — 133 MHz
ڈیٹا ریٹ — PC133 (SDRAM)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 3.0 V (typ); 2.7 V-3.3 V range
انٹرفیس — LVCMOS
Process Technology — Samsung high-performance CMOS
Refresh — Auto-Refresh and Self-Refresh
Power Modes — Power-Down mode, Partial Array Self-Refresh (PASR)
Lead-Free / RoHS — Pb-free (lead-free) - per '-ZN' suffix
Bank Architecture — 4 internal banks
Row Address — A0-A12 (13-bit)
Data Width — x16 (DQ0-DQ15)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں