K4S561633F-ZL75 vs K4S561633FZN75 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4S561633F-ZL75 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4S561633FZN75 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4S561633F-ZL75 K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 Nrnd

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4S561633F-ZL75 K4S561633FZN75
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস NRND NRND
মেমরি টাইপ Synchronous DRAM (Mobile SDRAM) Mobile SDRAM (Synchronous DRAM)
Density 256 Mbit (268,435,456 bits) 256 Mbit (268,435,456 bits)
সংগঠন 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits (4M x 16 x 4 banks) 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits
Operating Frequency (max) 133 MHz —
Clock Access Time 5.4 ns —
Speed Grade ZL75 (7.5 ns / CAS Latency 3, 133 MHz) —
Supply Voltage (VDD) 3.3 V —
I/O Standard LVCMOS-compatible —
Number of Banks 4 —
Burst Length 1, 2, 4, 8, Full Page 1, 2, 4, 8, full page (programmable)
Burst Type Sequential or Interleave —
CAS লেটেন্সি Programmable, 2 or 3 Programmable, 2 or 3
প্যাকেজ 54-ball FBGA (54-BOC) / TFBGA 54-ball FBGA (54BOC)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount —
RoHS / Lead-Free Pb-Free (per -L75 suffix) —
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature grade] Commercial grade (per -ZN75 suffix)
Clock Frequency — 133 MHz
ডেটা রেট — PC133 (SDRAM)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 3.0 V (typ); 2.7 V-3.3 V range
ইন্টারফেস — LVCMOS
Process Technology — Samsung high-performance CMOS
Refresh — Auto-Refresh and Self-Refresh
Power Modes — Power-Down mode, Partial Array Self-Refresh (PASR)
Lead-Free / RoHS — Pb-free (lead-free) - per '-ZN' suffix
Bank Architecture — 4 internal banks
Row Address — A0-A12 (13-bit)
Data Width — x16 (DQ0-DQ15)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট