K4S561633F-ZL75 vs K4S561633FZN75 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4S561633F-ZL75 توسط Samsung Electronics و K4S561633FZN75 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4S561633F-ZL75 K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 Nrnd

مقایسه مشخصات

پارامتر K4S561633F-ZL75 K4S561633FZN75
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر NRND NRND
نوع حافظه Synchronous DRAM (Mobile SDRAM) Mobile SDRAM (Synchronous DRAM)
Density 256 Mbit (268,435,456 bits) 256 Mbit (268,435,456 bits)
سازمان 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits (4M x 16 x 4 banks) 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits
Operating Frequency (max) 133 MHz —
Clock Access Time 5.4 ns —
Speed Grade ZL75 (7.5 ns / CAS Latency 3, 133 MHz) —
Supply Voltage (VDD) 3.3 V —
I/O Standard LVCMOS-compatible —
Number of Banks 4 —
Burst Length 1, 2, 4, 8, Full Page 1, 2, 4, 8, full page (programmable)
Burst Type Sequential or Interleave —
تأخیر CAS Programmable, 2 or 3 Programmable, 2 or 3
بسته‌بندی 54-ball FBGA (54-BOC) / TFBGA 54-ball FBGA (54BOC)
نوع نصب Surface Mount —
RoHS / Lead-Free Pb-Free (per -L75 suffix) —
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature grade] Commercial grade (per -ZN75 suffix)
Clock Frequency — 133 MHz
نرخ داده — PC133 (SDRAM)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 3.0 V (typ); 2.7 V-3.3 V range
رابط — LVCMOS
Process Technology — Samsung high-performance CMOS
Refresh — Auto-Refresh and Self-Refresh
Power Modes — Power-Down mode, Partial Array Self-Refresh (PASR)
Lead-Free / RoHS — Pb-free (lead-free) - per '-ZN' suffix
Bank Architecture — 4 internal banks
Row Address — A0-A12 (13-bit)
Data Width — x16 (DQ0-DQ15)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت