K6X0808C1D-BF70 vs K6X0808C1D-BF55 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K6X0808C1D-BF70 بواسطة Samsung Electronics و K6X0808C1D-BF55 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung
K6X0808C1D-BF70 ✗ انتهى عمره الإنتاجيSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K6X0808C1D-BF70 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نهاية العمر الإنتاجي | نشط |
| نوع الذاكرة | Asynchronous SRAM (CMOS) | Asynchronous SRAM |
| Density | 256 Kbit | — |
| التنظيم | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Technology | CMOS | CMOS |
| العلبة | 28-SOP (PDSO28) | 28-SOP |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| جهد التغذية | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | 5 V |
| Operating Current (active) | [DATA_NEEDED: Operating Current] | — |
| Standby Current (CMOS) | [DATA_NEEDED: Standby Current] | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Data Retention | Volatile (battery-backup capable with CE control) | — |
| I/O Type | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | unknown |
| Address Bus | A0-A14 (15 address lines) | — |
| حجم الذاكرة | — | 256 Kbit |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Memory Format | — | SRAM |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |
| Refresh | — | Not required (static memory) |