K6X0808C1D-BF70 vs K6X0808C1D-BF55 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K6X0808C1D-BF70 توسط Samsung Electronics و K6X0808C1D-BF55 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K6X0808C1D-BF70 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | پایان عمر محصول | فعال |
| نوع حافظه | Asynchronous SRAM (CMOS) | Asynchronous SRAM |
| Density | 256 Kbit | — |
| سازمان | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| رابط | Parallel | Parallel |
| Technology | CMOS | CMOS |
| بسته‌بندی | 28-SOP (PDSO28) | 28-SOP |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| ولتاژ تغذیه | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | 5 V |
| Operating Current (active) | [DATA_NEEDED: Operating Current] | — |
| Standby Current (CMOS) | [DATA_NEEDED: Standby Current] | — |
| دمای کاری | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Data Retention | Volatile (battery-backup capable with CE control) | — |
| I/O Type | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | unknown |
| Address Bus | A0-A14 (15 address lines) | — |
| اندازه حافظه | — | 256 Kbit |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Memory Format | — | SRAM |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |
| Refresh | — | Not required (static memory) |