K6X0808C1D-BF70 vs K6X0808C1D-BF55 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K6X0808C1D-BF70 tarafından Samsung Electronics ve K6X0808C1D-BF55 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung
K6X0808C1D-BF70 ✗ Son Kullanım ZamanıSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K6X0808C1D-BF70 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | DRAM |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Hayat Dönemi Sonu | Aktif |
| Bellek Türü | Asynchronous SRAM (CMOS) | Asynchronous SRAM |
| Density | 256 Kbit | — |
| Organizasyon | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Arayüz | Parallel | Parallel |
| Technology | CMOS | CMOS |
| Paket | 28-SOP (PDSO28) | 28-SOP |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Besleme Gerilimi | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | 5 V |
| Operating Current (active) | [DATA_NEEDED: Operating Current] | — |
| Standby Current (CMOS) | [DATA_NEEDED: Standby Current] | — |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Data Retention | Volatile (battery-backup capable with CE control) | — |
| I/O Type | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | unknown |
| Address Bus | A0-A14 (15 address lines) | — |
| Bellek Boyutu | — | 256 Kbit |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Memory Format | — | SRAM |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |
| Refresh | — | Not required (static memory) |