K6X0808C1D-BF70 vs K6X0808C1D-BF55 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6X0808C1D-BF70 بذریعہ Samsung Electronics اور K6X0808C1D-BF55 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70 K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung

K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung

K6X0808C1D-BF70 ✗ اختتامِ زندگی
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6X0808C1D-BF70 K6X0808C1D-BF55
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs DRAM
لائف سائیکل کی حالت اختتامِ زندگی فعال
میموری ٹائپ Asynchronous SRAM (CMOS) Asynchronous SRAM
Density 256 Kbit —
تنظیم 32K x 8 32K x 8
Access Time 70 ns 55 ns
انٹرفیس Parallel Parallel
Technology CMOS CMOS
پیکیج 28-SOP (PDSO28) 28-SOP
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
سپلائی وولٹیج [DATA_NEEDED: Supply Voltage] 5 V
Operating Current (active) [DATA_NEEDED: Operating Current] —
Standby Current (CMOS) [DATA_NEEDED: Standby Current] —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Data Retention Volatile (battery-backup capable with CE control) —
I/O Type Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS Status] unknown
Address Bus A0-A14 (15 address lines) —
میموری سائز — 256 Kbit
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current — [DATA_NEEDED: operating current]
Memory Format — SRAM
Clock Frequency — N/A (asynchronous)
Refresh — Not required (static memory)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں