LMG3422R030RQZT vs LMG3522R030RQSR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ LMG3422R030RQZT بواسطة Texas Instruments و LMG3522R030RQSR بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Texas Instruments
LMG3422R030RQZT - 600V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3422R030RQZT ✓ نشطTexas Instruments
LMG3522R030RQSR - 650V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3522R030RQSR ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | LMG3422R030RQZT | LMG3522R030RQSR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Texas Instruments | Texas Instruments |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 650 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | 30 mΩ | — |
| Continuous Drain Current | 40 A | — |
| تردد التبديل | 2.2 MHz | [DATA_NEEDED: Maximum switching frequency] |
| Slew Rate | 20 V/ns to 150 V/ns | — |
| FET Hold-off | 200 V/ns | — |
| Integrated Driver | Yes | Yes (half-bridge) |
| Protection | Overcurrent, Overtemperature | — |
| Temperature Reporting | Yes | — |
| العلبة | 54-VQFN (12x12 mm) | 52-VQFN (12x12 mm) Exposed Pad |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC JEP180 | — |
| Gate Drive Strength | Adjustable | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +125°C | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| RDS(on) (Typical) | — | 30 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 55 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: Pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: Gate-source voltage range] |
| Protection Features | — | Overcurrent, overtemperature, temperature reporting |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Automotive Grade | — | Available (Q1 variant, AEC-Q100) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| المقاومة الحرارية، من الوصلة إلى المحيط | — | [DATA_NEEDED: Thermal resistance] |