LMG3422R030RQZT vs LMG3522R030RQSR השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של LMG3422R030RQZT מאת Texas Instruments ו LMG3522R030RQSR מאת Texas Instruments. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Texas Instruments
LMG3422R030RQZT - 600V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3422R030RQZT ✓ פעילTexas Instruments
LMG3522R030RQSR - 650V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3522R030RQSR ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | LMG3422R030RQZT | LMG3522R030RQSR |
|---|---|---|
| מותג | Texas Instruments | Texas Instruments |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 650 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | 30 mΩ | — |
| Continuous Drain Current | 40 A | — |
| תדר מיתוג | 2.2 MHz | [DATA_NEEDED: Maximum switching frequency] |
| Slew Rate | 20 V/ns to 150 V/ns | — |
| FET Hold-off | 200 V/ns | — |
| Integrated Driver | Yes | Yes (half-bridge) |
| Protection | Overcurrent, Overtemperature | — |
| Temperature Reporting | Yes | — |
| מארז | 54-VQFN (12x12 mm) | 52-VQFN (12x12 mm) Exposed Pad |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC JEP180 | — |
| Gate Drive Strength | Adjustable | — |
| טמפרטורת פעולה | -40°C to +125°C | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| RDS(on) (Typical) | — | 30 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 55 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: Pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: Gate-source voltage range] |
| Protection Features | — | Overcurrent, overtemperature, temperature reporting |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Automotive Grade | — | Available (Q1 variant, AEC-Q100) |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| התנגדות תרמית, צומת לסביבה | — | [DATA_NEEDED: Thermal resistance] |