LMG3422R030RQZT vs LMG3522R030RQSR তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা LMG3422R030RQZT নির্দিষ্ট Texas Instruments ও LMG3522R030RQSR নির্দিষ্ট Texas Instruments. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Texas Instruments
LMG3422R030RQZT - 600V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3422R030RQZT ✓ সক্রিয়Texas Instruments
LMG3522R030RQSR - 650V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3522R030RQSR ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | LMG3422R030RQZT | LMG3522R030RQSR |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Texas Instruments | Texas Instruments |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 650 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | 30 mΩ | — |
| Continuous Drain Current | 40 A | — |
| সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি | 2.2 MHz | [DATA_NEEDED: Maximum switching frequency] |
| Slew Rate | 20 V/ns to 150 V/ns | — |
| FET Hold-off | 200 V/ns | — |
| Integrated Driver | Yes | Yes (half-bridge) |
| Protection | Overcurrent, Overtemperature | — |
| Temperature Reporting | Yes | — |
| প্যাকেজ | 54-VQFN (12x12 mm) | 52-VQFN (12x12 mm) Exposed Pad |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC JEP180 | — |
| Gate Drive Strength | Adjustable | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40°C to +125°C | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| RDS(on) (Typical) | — | 30 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 55 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: Pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: Gate-source voltage range] |
| Protection Features | — | Overcurrent, overtemperature, temperature reporting |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Automotive Grade | — | Available (Q1 variant, AEC-Q100) |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| থার্মাল রেজিস্ট্যান্স, জাংশন-টু-অ্যাম্বিয়েন্ট | — | [DATA_NEEDED: Thermal resistance] |