LMG3422R030RQZT vs LMG3522R030RQSR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار LMG3422R030RQZT توسط Texas Instruments و LMG3522R030RQSR توسط Texas Instruments. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Texas Instruments
LMG3422R030RQZT - 600V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3422R030RQZT ✓ فعالTexas Instruments
LMG3522R030RQSR - 650V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3522R030RQSR ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | LMG3422R030RQZT | LMG3522R030RQSR |
|---|---|---|
| برند | Texas Instruments | Texas Instruments |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 650 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | 30 mΩ | — |
| Continuous Drain Current | 40 A | — |
| فرکانس سوئیچینگ | 2.2 MHz | [DATA_NEEDED: Maximum switching frequency] |
| Slew Rate | 20 V/ns to 150 V/ns | — |
| FET Hold-off | 200 V/ns | — |
| Integrated Driver | Yes | Yes (half-bridge) |
| Protection | Overcurrent, Overtemperature | — |
| Temperature Reporting | Yes | — |
| بسته‌بندی | 54-VQFN (12x12 mm) | 52-VQFN (12x12 mm) Exposed Pad |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC JEP180 | — |
| Gate Drive Strength | Adjustable | — |
| دمای کاری | -40°C to +125°C | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| RDS(on) (Typical) | — | 30 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 55 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: Pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: Gate-source voltage range] |
| Protection Features | — | Overcurrent, overtemperature, temperature reporting |
| محدوده دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Automotive Grade | — | Available (Q1 variant, AEC-Q100) |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| مقاومت حرارتی، اتصال به محیط | — | [DATA_NEEDED: Thermal resistance] |