LMG3422R030RQZT vs LMG3522R030RQSR Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma LMG3422R030RQZT tarafından Texas Instruments ve LMG3522R030RQSR tarafından Texas InstrumentsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Texas Instruments
LMG3422R030RQZT - 600V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3422R030RQZT ✓ AktifTexas Instruments
LMG3522R030RQSR - 650V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3522R030RQSR ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | LMG3422R030RQZT | LMG3522R030RQSR |
|---|---|---|
| Marka | Texas Instruments | Texas Instruments |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 650 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | 30 mΩ | — |
| Continuous Drain Current | 40 A | — |
| Değiştirme Frekansı | 2.2 MHz | [DATA_NEEDED: Maximum switching frequency] |
| Slew Rate | 20 V/ns to 150 V/ns | — |
| FET Hold-off | 200 V/ns | — |
| Integrated Driver | Yes | Yes (half-bridge) |
| Protection | Overcurrent, Overtemperature | — |
| Temperature Reporting | Yes | — |
| Paket | 54-VQFN (12x12 mm) | 52-VQFN (12x12 mm) Exposed Pad |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC JEP180 | — |
| Gate Drive Strength | Adjustable | — |
| İşletim Sıcaklığı | -40°C to +125°C | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| RDS(on) (Typical) | — | 30 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 55 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: Pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: Gate-source voltage range] |
| Protection Features | — | Overcurrent, overtemperature, temperature reporting |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Automotive Grade | — | Available (Q1 variant, AEC-Q100) |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Jantten Ortama Termal Direnç | — | [DATA_NEEDED: Thermal resistance] |