LMG3422R030RQZT vs LMG3522R030RQSR موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از LMG3422R030RQZT بذریعہ Texas Instruments اور LMG3522R030RQSR بذریعہ Texas Instruments. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Texas Instruments
LMG3422R030RQZT LMG3422R030RQZT - 600V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI

LMG3422R030RQZT - 600V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI

LMG3422R030RQZT ✓ فعال
Texas Instruments
LMG3522R030RQSR LMG3522R030RQSR - 650V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI

LMG3522R030RQSR - 650V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI

LMG3522R030RQSR ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر LMG3422R030RQZT LMG3522R030RQSR
برانڈ Texas Instruments Texas Instruments
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 650 V
On-Resistance (RDS(on)) 30 mΩ —
Continuous Drain Current 40 A —
سوئچنگ فریکوئنسی 2.2 MHz [DATA_NEEDED: Maximum switching frequency]
Slew Rate 20 V/ns to 150 V/ns —
FET Hold-off 200 V/ns —
Integrated Driver Yes Yes (half-bridge)
Protection Overcurrent, Overtemperature —
Temperature Reporting Yes —
پیکیج 54-VQFN (12x12 mm) 52-VQFN (12x12 mm) Exposed Pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC JEP180 —
Gate Drive Strength Adjustable —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40°C to +125°C —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
RDS(on) (Typical) — 30 mΩ
Continuous Drain Current (ID) — 55 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: Pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: Gate-source voltage range]
Protection Features — Overcurrent, overtemperature, temperature reporting
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Automotive Grade — Available (Q1 variant, AEC-Q100)
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL level]
تھرمل ریزسٹنس، جنکشن سے ایمبیئنٹ — [DATA_NEEDED: Thermal resistance]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں