LMG3422R030RQZT vs LMG3522R030RQSR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना LMG3422R030RQZT द्वारा Texas Instruments और LMG3522R030RQSR द्वारा Texas Instruments. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Texas Instruments
LMG3422R030RQZT - 600V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3422R030RQZT ✓ सक्रियTexas Instruments
LMG3522R030RQSR - 650V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3522R030RQSR ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | LMG3422R030RQZT | LMG3522R030RQSR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Texas Instruments | Texas Instruments |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 650 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | 30 mΩ | — |
| Continuous Drain Current | 40 A | — |
| स्विचिंग फ्रीक्वेंसी | 2.2 MHz | [DATA_NEEDED: Maximum switching frequency] |
| Slew Rate | 20 V/ns to 150 V/ns | — |
| FET Hold-off | 200 V/ns | — |
| Integrated Driver | Yes | Yes (half-bridge) |
| Protection | Overcurrent, Overtemperature | — |
| Temperature Reporting | Yes | — |
| पैकेज | 54-VQFN (12x12 mm) | 52-VQFN (12x12 mm) Exposed Pad |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC JEP180 | — |
| Gate Drive Strength | Adjustable | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to +125°C | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| RDS(on) (Typical) | — | 30 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 55 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: Pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: Gate-source voltage range] |
| Protection Features | — | Overcurrent, overtemperature, temperature reporting |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Automotive Grade | — | Available (Q1 variant, AEC-Q100) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| थर्मल रेज़िस्टेंस, जंक्शन-टू-एम्बिएंट | — | [DATA_NEEDED: Thermal resistance] |