M29W160EB70N3E vs M29F160FB55N3F2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W160EB70N3E بواسطة Micron Technology و M29F160FB55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29W160EB70N3E | M29F160FB55N3F2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | Obsolete |
| نوع الذاكرة | FLASH - NOR | Parallel NOR Flash |
| حجم الذاكرة | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) | — |
| التنظيم | 2M x8 / 1M x16 | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Programming Time | 10 us (typical) | — |
| Cell Type | SLC NOR | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | -40 to +125 C |
| العلبة / الحالة | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Speed Grade | -70 | — |
| FBGA Code | N/A (TSOP package) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free) |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 16777 kbits (16 Mbit) |
| Number of Words | — | 1000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| جهد التغذية | — | 5 V |
| Boot Block Architecture | — | Bottom Boot Block |
| Package Type | — | 48-TSOP |
| Termination Finish | — | Lead-free (F2 suffix) |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Block Protection | — | Hardware boot block protection |
| Speed Grade (from MPN) | — | 55 (55 ns) |