M29W160EB70N3E vs M29F160FB55N3F2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29W160EB70N3E توسط Micron Technology و M29F160FB55N3F2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

مقایسه مشخصات

پارامتر M29W160EB70N3E M29F160FB55N3F2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال Obsolete
نوع حافظه FLASH - NOR Parallel NOR Flash
اندازه حافظه 16 Mbit (2M x8, 1M x16) —
سازمان 2M x8 / 1M x16 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Access Time 70 ns 55 ns
رابط Parallel Parallel
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Programming Time 10 us (typical) —
Cell Type SLC NOR —
دمای کاری -40C to +125C -40 to +125 C
بسته‌بندی / کیس 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free)
سطح MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 16777 kbits (16 Mbit)
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
ولتاژ تغذیه — 5 V
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Package Type — 48-TSOP
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت