MT40A512M8SA-062E vs K4A4G085WE-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A512M8SA-062E بواسطة Micron Technology و K4A4G085WE-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT40A512M8SA-062E | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| معدل البيانات | 3200 MT/s (DDR4-3200 class) | 2400 Mbps |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP Supply | 2.5 V (-125 mV / +250 mV) | — |
| الواجهة | Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O | Parallel |
| VREFDQ | On-die internal adjustable generation | — |
| العلبة | 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B | FBGA-78 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (TC max) | up to 95 degrees C | — |
| Package Flow | :F (lead-free / RoHS) | — |
| نمط التركيب | SMD/SMT | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | — | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| حالة RoHS | — | Compliant (per LCSC listing) |