MT40A512M8SA-062E vs K4A4G085WE-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A512M8SA-062E توسط Micron Technology و K4A4G085WE-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | MT40A512M8SA-062E | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| نرخ داده | 3200 MT/s (DDR4-3200 class) | 2400 Mbps |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP Supply | 2.5 V (-125 mV / +250 mV) | — |
| رابط | Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O | Parallel |
| VREFDQ | On-die internal adjustable generation | — |
| بسته‌بندی | 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B | FBGA-78 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (TC max) | up to 95 degrees C | — |
| Package Flow | :F (lead-free / RoHS) | — |
| سبک نصب | SMD/SMT | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | — | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| وضعیت RoHS | — | Compliant (per LCSC listing) |