MT40A512M8SA-062E vs K4A4G085WE-BCRC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A512M8SA-062E بذریعہ Micron Technology اور K4A4G085WE-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT40A512M8SA-062E | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | DRAM | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 MT/s (DDR4-3200 class) | 2400 Mbps |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP Supply | 2.5 V (-125 mV / +250 mV) | — |
| انٹرفیس | Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O | Parallel |
| VREFDQ | On-die internal adjustable generation | — |
| پیکیج | 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B | FBGA-78 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (TC max) | up to 95 degrees C | — |
| Package Flow | :F (lead-free / RoHS) | — |
| ماؤنٹنگ اسٹائل | SMD/SMT | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | — | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant (per LCSC listing) |