MT40A512M8SA-062E vs K4A4G085WE-BCRC তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A512M8SA-062E নির্দিষ্ট Micron Technology ও K4A4G085WE-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT40A512M8SA-062E | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | DRAM | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4 Gbit | — |
| সংগঠন | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| ডেটা রেট | 3200 MT/s (DDR4-3200 class) | 2400 Mbps |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP Supply | 2.5 V (-125 mV / +250 mV) | — |
| ইন্টারফেস | Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O | Parallel |
| VREFDQ | On-die internal adjustable generation | — |
| প্যাকেজ | 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B | FBGA-78 |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (TC max) | up to 95 degrees C | — |
| Package Flow | :F (lead-free / RoHS) | — |
| মাউন্টিং স্টাইল | SMD/SMT | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | — | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant (per LCSC listing) |