MT41K256M16HA-125:E vs H5AN8G6NCJR-XXC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16HA-125:E بواسطة Micron Technology و H5AN8G6NCJR-xxC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT41K256M16HA-125:E | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gb |
| التنظيم | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| زمن الوصول CAS | 13.75 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| العلبة | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C (TC) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| عرض ناقل البيانات | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| معدل البيانات | — | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |
| RoHS | — | Compliant |