MT41K256M16HA-125:E vs H5AN8G6NCJR-XXC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT41K256M16HA-125:E توسط Micron Technology و H5AN8G6NCJR-xxC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | MT41K256M16HA-125:E | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| تأخیر CAS | 13.75 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | 0°C to +95°C (TC) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| عرض گذرگاه داده | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| نرخ داده | — | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |
| RoHS | — | Compliant |