MT41K256M16HA-125:E vs H5AN8G6NCJR-XXC So sánh

So sánh chi tiết song song của MT41K256M16HA-125:E bằng Micron Technology và H5AN8G6NCJR-xxC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN8G6NCJR-xxC H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số MT41K256M16HA-125:E H5AN8G6NCJR-xxC
Thương hiệu Micron Technology SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 8 Gb
Tổ chức 256M x 16 512M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
Latency CAS 13.75 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
Hộp 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA
Số lượng chân 96 —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động 0°C to +95°C (TC) —
Trạng thái RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Bề rộng đường dữ liệu 16 bits —
Logic Family CMOS —
Tốc độ dữ liệu — 2666 Mbps (VKC speed grade)
VPP Supply — 2.5 V
Operating Temperature (TC) — 0°C to 95°C
Number of Banks — 8
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
On-Die Termination (ODT) — Supported
Self-Refresh — Temperature-compensated (TCSR)
RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá