MT41K256M16HA-125:E vs H5AN8G6NCJR-XXC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT41K256M16HA-125:E بذریعہ Micron Technology اور H5AN8G6NCJR-xxC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G6NCJR-xxC H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MT41K256M16HA-125:E H5AN8G6NCJR-xxC
برانڈ Micron Technology SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 8 Gb
تنظیم 256M x 16 512M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
CAS لیٹنسی 13.75 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
پیکیج 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA
پنز کی تعداد 96 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج 0°C to +95°C (TC) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes Yes
ڈیٹا بس چوڑائی 16 bits —
Logic Family CMOS —
ڈیٹا ریٹ — 2666 Mbps (VKC speed grade)
VPP Supply — 2.5 V
Operating Temperature (TC) — 0°C to 95°C
Number of Banks — 8
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
On-Die Termination (ODT) — Supported
Self-Refresh — Temperature-compensated (TCSR)
RoHS — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں