MT41K256M16HA-125:E vs H5AN8G6NCJR-XXC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT41K256M16HA-125:E מאת Micron Technology ו H5AN8G6NCJR-xxC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | MT41K256M16HA-125:E | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gb |
| ארגון | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| השהיית CAS | 13.75 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| מארז | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| מספר פינים | 96 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C (TC) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| רוחב אפיק נתונים | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| קצב נתונים | — | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |
| RoHS | — | Compliant |