MT41K256M16HA-125:E vs H5AN8G6NCJR-XXC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT41K256M16HA-125:E নির্দিষ্ট Micron Technology ও H5AN8G6NCJR-xxC নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ সক্রিয়
SK hynix
H5AN8G6NCJR-xxC H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MT41K256M16HA-125:E H5AN8G6NCJR-xxC
ব্র্যান্ড Micron Technology SK hynix
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR3L SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 8 Gb
সংগঠন 256M x 16 512M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
CAS লেটেন্সি 13.75 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
প্যাকেজ 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA
পিনের সংখ্যা 96 —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর 0°C to +95°C (TC) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Lead-Free Yes Yes
ডেটা বাস প্রস্থ 16 bits —
Logic Family CMOS —
ডেটা রেট — 2666 Mbps (VKC speed grade)
VPP Supply — 2.5 V
Operating Temperature (TC) — 0°C to 95°C
Number of Banks — 8
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
On-Die Termination (ODT) — Supported
Self-Refresh — Temperature-compensated (TCSR)
RoHS — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট