MT41K256M16HA-125:E vs H5AN8G6NCJR-XXC Perbandingan
Perbandingan bersamaan detil MT41K256M16HA-125:E dari Micron Technology dan H5AN8G6NCJR-xxC dari SK hynix. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ AktifPerbandingan Spesifikasi
| Parameter Umum | MT41K256M16HA-125:E | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| Merek | Micron Technology | SK hynix |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Tipe Memori | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gb |
| Organisasi | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Latensi CAS | 13.75 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Paket | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Jumlah Pin | 96 | — |
| Tipe Mounting | Surface Mount | Surface Mount |
| Rentang Suhu Kerja | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Lebar Bus Data | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Laju Data | — | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |
| RoHS | — | Compliant |