TBD62503AFNG vs ULN2003ADR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ TBD62503AFNG بواسطة Toshiba و ULN2003ADR بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | TBD62503AFNG | ULN2003ADR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Toshiba | Texas Instruments |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Transistors |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Number of Channels | 7 | 7 |
| Channel Type | Sink-type (low-side switch) | — |
| Output Device | N-channel DMOS open-drain | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (Vdss) | 50 V | — |
| Continuous Output Current (per channel) | 300 mA | — |
| Peak Output Current | 500 mA | — |
| Maximum Clamping Diode Voltage | 50 V | — |
| Logic Input Compatibility | 3V CMOS / TTL | — |
| On-Resistance (Ron) | [DATA_NEEDED: typical Ron at specified Vgs] | — |
| Input Voltage (Vin) | 0 V to 30 V (gate drive, low-voltage logic supply) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 C to +85 C | -40 C to +70 C |
| العلبة | SSOP-16 | SOIC-16 (D) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| حالة RoHS | Compliant (per distributor listings) | Compliant |
| Process Technology | Toshiba BiCD (Bipolar + CMOS + DMOS) monolithic | — |
| نوع الترانزستور | — | 7 NPN Darlington Array |
| Collector Current (Single Output, Max) | — | 500 mA |
| Collector-Emitter Voltage (Max) | — | 50 V |
| Output Breakdown Voltage (Min) | — | 50 V |
| Input Type | — | Logic-level compatible (TTL/CMOS) |
| Series Base Resistor | — | 2.7 kOhm |
| تكوين الخرج | — | Open-collector, common emitter |
| Clamp Diodes | — | Integrated common-cathode flyback diodes |
| DC Input Voltage (Min) | — | [DATA_NEEDED: minimum input logic-high voltage] |
| Lead-Free | — | Yes |