TBD62503AFNG vs ULN2003ADR তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা TBD62503AFNG নির্দিষ্ট Toshiba ও ULN2003ADR নির্দিষ্ট Texas Instruments. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Toshiba
TBD62503AFNG TBD62503AFNG - 7-Ch DMOS Sink Driver Array 50V/0.3A | Toshiba

TBD62503AFNG - 7-Ch DMOS Sink Driver Array 50V/0.3A | Toshiba

TBD62503AFNG ✓ সক্রিয়
Texas Instruments
ULN2003ADR ULN2003ADR - 50V 500mA 7-ch Darlington Array SOIC-16 | TI

ULN2003ADR - 50V 500mA 7-ch Darlington Array SOIC-16 | TI

ULN2003ADR ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার TBD62503AFNG ULN2003ADR
ব্র্যান্ড Toshiba Texas Instruments
ক্যাটাগরি Power MOSFET Drivers Transistors
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Number of Channels 7 7
Channel Type Sink-type (low-side switch) —
Output Device N-channel DMOS open-drain —
Maximum Drain-Source Voltage (Vdss) 50 V —
Continuous Output Current (per channel) 300 mA —
Peak Output Current 500 mA —
Maximum Clamping Diode Voltage 50 V —
Logic Input Compatibility 3V CMOS / TTL —
On-Resistance (Ron) [DATA_NEEDED: typical Ron at specified Vgs] —
Input Voltage (Vin) 0 V to 30 V (gate drive, low-voltage logic supply) —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -40 C to +85 C -40 C to +70 C
প্যাকেজ SSOP-16 SOIC-16 (D)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (per distributor listings) Compliant
Process Technology Toshiba BiCD (Bipolar + CMOS + DMOS) monolithic —
ট্রানজিস্টর টাইপ — 7 NPN Darlington Array
Collector Current (Single Output, Max) — 500 mA
Collector-Emitter Voltage (Max) — 50 V
Output Breakdown Voltage (Min) — 50 V
Input Type — Logic-level compatible (TTL/CMOS)
Series Base Resistor — 2.7 kOhm
আউটপুট কনফিগারেশন — Open-collector, common emitter
Clamp Diodes — Integrated common-cathode flyback diodes
DC Input Voltage (Min) — [DATA_NEEDED: minimum input logic-high voltage]
Lead-Free — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট