TBD62503AFNG vs ULN2003ADR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना TBD62503AFNG द्वारा Toshiba और ULN2003ADR द्वारा Texas Instruments. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | TBD62503AFNG | ULN2003ADR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Toshiba | Texas Instruments |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Transistors |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Number of Channels | 7 | 7 |
| Channel Type | Sink-type (low-side switch) | — |
| Output Device | N-channel DMOS open-drain | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (Vdss) | 50 V | — |
| Continuous Output Current (per channel) | 300 mA | — |
| Peak Output Current | 500 mA | — |
| Maximum Clamping Diode Voltage | 50 V | — |
| Logic Input Compatibility | 3V CMOS / TTL | — |
| On-Resistance (Ron) | [DATA_NEEDED: typical Ron at specified Vgs] | — |
| Input Voltage (Vin) | 0 V to 30 V (gate drive, low-voltage logic supply) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40 C to +85 C | -40 C to +70 C |
| पैकेज | SSOP-16 | SOIC-16 (D) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| RoHS स्थिति | Compliant (per distributor listings) | Compliant |
| Process Technology | Toshiba BiCD (Bipolar + CMOS + DMOS) monolithic | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | 7 NPN Darlington Array |
| Collector Current (Single Output, Max) | — | 500 mA |
| Collector-Emitter Voltage (Max) | — | 50 V |
| Output Breakdown Voltage (Min) | — | 50 V |
| Input Type | — | Logic-level compatible (TTL/CMOS) |
| Series Base Resistor | — | 2.7 kOhm |
| आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन | — | Open-collector, common emitter |
| Clamp Diodes | — | Integrated common-cathode flyback diodes |
| DC Input Voltage (Min) | — | [DATA_NEEDED: minimum input logic-high voltage] |
| Lead-Free | — | Yes |