TBD62503AFNG vs ULN2003ADR Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma TBD62503AFNG tarafından Toshiba ve ULN2003ADR tarafından Texas InstrumentsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | TBD62503AFNG | ULN2003ADR |
|---|---|---|
| Marka | Toshiba | Texas Instruments |
| Kategori | Power MOSFET Drivers | Transistors |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Number of Channels | 7 | 7 |
| Channel Type | Sink-type (low-side switch) | — |
| Output Device | N-channel DMOS open-drain | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (Vdss) | 50 V | — |
| Continuous Output Current (per channel) | 300 mA | — |
| Peak Output Current | 500 mA | — |
| Maximum Clamping Diode Voltage | 50 V | — |
| Logic Input Compatibility | 3V CMOS / TTL | — |
| On-Resistance (Ron) | [DATA_NEEDED: typical Ron at specified Vgs] | — |
| Input Voltage (Vin) | 0 V to 30 V (gate drive, low-voltage logic supply) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40 C to +85 C | -40 C to +70 C |
| Paket | SSOP-16 | SOIC-16 (D) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| RoHS Durumu | Compliant (per distributor listings) | Compliant |
| Process Technology | Toshiba BiCD (Bipolar + CMOS + DMOS) monolithic | — |
| Transistor Türü | — | 7 NPN Darlington Array |
| Collector Current (Single Output, Max) | — | 500 mA |
| Collector-Emitter Voltage (Max) | — | 50 V |
| Output Breakdown Voltage (Min) | — | 50 V |
| Input Type | — | Logic-level compatible (TTL/CMOS) |
| Series Base Resistor | — | 2.7 kOhm |
| Çıkış Konfigürasyonu | — | Open-collector, common emitter |
| Clamp Diodes | — | Integrated common-cathode flyback diodes |
| DC Input Voltage (Min) | — | [DATA_NEEDED: minimum input logic-high voltage] |
| Lead-Free | — | Yes |