W634GU6RB11J vs K4B4G1646E-BYMA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ W634GU6RB11J بواسطة Winbond و K4B4G1646E-BYMA بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | W634GU6RB11J | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Winbond | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $14.32 |
| نوع الذاكرة | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| معدل البيانات | 1866 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| الواجهة | Parallel | — |
| جهد التغذية | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| زمن الوصول CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| العلبة | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | FBGA-96 |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| التنظيم | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| عدد الدبابيس | — | 96 |