W634GU6RB11J vs K4B4G1646E-BYMA 比較
詳細並排比較 W634GU6RB11J 由 Winbond 與 K4B4G1646E-BYMA 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | W634GU6RB11J | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| 品牌 | Winbond | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 單價 (USD) | — | $14.32 |
| 記憶體類型 | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| 資料速率 | 1866 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| 介面 | Parallel | — |
| 供應電壓 | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| CAS 延遲 | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| 封裝 | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | FBGA-96 |
| 工作溫度 | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| 安裝類型 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 狀態 | Compliant | — |
| 無鹵素 | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| 組織 | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| 腳位數 | — | 96 |