W634GU6RB11J vs K4B4G1646E-BYMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना W634GU6RB11J द्वारा Winbond और K4B4G1646E-BYMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | W634GU6RB11J | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Winbond | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $14.32 |
| मेमोरी प्रकार | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| डेटा दर | 1866 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| CAS लेटेंसी | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| पैकेज | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | FBGA-96 |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| पिन की संख्या | — | 96 |