W634GU6RB11J vs K4B4G1646E-BYMA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از W634GU6RB11J بذریعہ Winbond اور K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | W634GU6RB11J | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| برانڈ | Winbond | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $14.32 |
| میموری ٹائپ | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| CAS لیٹنسی | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| پیکیج | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | FBGA-96 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| تنظیم | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| پنز کی تعداد | — | 96 |