W634GU6RB11J vs K4B4G1646E-BYMA Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci W634GU6RB11J disebabkan oleh Winbond dan K4B4G1646E-BYMA disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | W634GU6RB11J | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Merek | Winbond | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Harga Unit (USD) | — | $14.32 |
| Jenis Ingatan | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Saiz Ingatan | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| Kadar Data | 1866 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| Antaramuka | Parallel | — |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Latensi CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Kemasan | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | FBGA-96 |
| Suhu Operasi | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Jenis Pemasangan | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Boson Bebas | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisasi | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Bilangan Pin | — | 96 |