W634GU6RB11J vs K4B4G1646E-BYMA השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של W634GU6RB11J מאת Winbond ו K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | W634GU6RB11J | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| מותג | Winbond | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $14.32 |
| סוג זיכרון | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| קצב נתונים | 1866 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| ממשק | Parallel | — |
| מתח אספקה | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| השהיית CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| מארז | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | FBGA-96 |
| טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| ארגון | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| מספר פינים | — | 96 |