W634GU6RB11J vs K4B4G1646E-BYMA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار W634GU6RB11J توسط Winbond و K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | W634GU6RB11J | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| برند | Winbond | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $14.32 |
| نوع حافظه | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| نرخ داده | 1866 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| رابط | Parallel | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| تأخیر CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| بسته‌بندی | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | FBGA-96 |
| دمای کاری | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| سازمان | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |