W634GU6RB11J vs K4B4G1646E-BYMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng W634GU6RB11J sa pamamagitan ng Winbond at K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | W634GU6RB11J | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Brand | Winbond | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $14.32 |
| Uri ng Memory | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| Rate ng Data | 1866 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| Interface | Parallel | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Latensya ng CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Packhaging | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | FBGA-96 |
| Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisasyon | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Bilang ng Pins | — | 96 |