BSR315PH6327XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSR315PH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSP125H6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 - 600V 120mA N-Ch SIPMOS | SOT-223 | Infineon

BSP125H6327XTSA1 - 600V 120mA N-Ch SIPMOS | SOT-223 | Infineon

BSP125H6327XTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSR315PH6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR315PH6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1
Series OptiMOS P-Channel —
FET Type P-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) -620 mA (Ta) 120 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 1.8 W (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 800 mOhm @ -620 mA, -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max VGS) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Input Capacitance (Ciss) 176 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 6 nC @ 10 V —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C (TJ) —
প্যাকেজ PG-SC59-3 / SOT-23-3 PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 3 —
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product family marking) —
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Technology — SIPMOS (Small Signal Power MOSFET)
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55C to +150C (TJ)
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Configuration — Single
Channel Mode — Enhancement
MSL লেভেল — 1 (Unlimited)
Qualification — Automotive / Industrial grade

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট