BSR315PH6327XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSR315PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP125H6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSR315PH6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR315PH6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1
Series OptiMOS P-Channel —
FET Type P-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) -620 mA (Ta) 120 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 1.8 W (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 800 mOhm @ -620 mA, -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max VGS) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Input Capacitance (Ciss) 176 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 6 nC @ 10 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (TJ) —
پیکیج PG-SC59-3 / SOT-23-3 PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 —
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product family marking) —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Technology — SIPMOS (Small Signal Power MOSFET)
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (TJ)
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Configuration — Single
Channel Mode — Enhancement
MSL لیول — 1 (Unlimited)
Qualification — Automotive / Industrial grade

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں