BSR315PH6327XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSR315PH6327XTSA1 توسط Infineon و BSP125H6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSR315PH6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR315PH6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1
Series OptiMOS P-Channel —
FET Type P-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) -620 mA (Ta) 120 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 1.8 W (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 800 mOhm @ -620 mA, -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max VGS) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Input Capacitance (Ciss) 176 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 6 nC @ 10 V —
محدوده دمای کاری -55 C to +150 C (TJ) —
بسته‌بندی PG-SC59-3 / SOT-23-3 PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 —
Packaging Tape & Reel (TR) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product family marking) —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Technology — SIPMOS (Small Signal Power MOSFET)
دمای کاری — -55C to +150C (TJ)
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Configuration — Single
Channel Mode — Enhancement
سطح MSL — 1 (Unlimited)
Qualification — Automotive / Industrial grade

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت