BSR315PH6327XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSR315PH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSP125H6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSR315PH6327XTSA1 | BSP125H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSR315PH6327XTSA1 | BSP125H6327XTSA1 |
| Series | OptiMOS P-Channel | — |
| FET Type | P-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -620 mA (Ta) | 120 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 1.8 W (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 800 mOhm @ -620 mA, -10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | ±20 V (max VGS) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Input Capacitance (Ciss) | 176 pF @ 25 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 6 nC @ 10 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| पैकेज | PG-SC59-3 / SOT-23-3 | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon product family marking) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55C to +150C (TJ) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Configuration | — | Single |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| MSL स्तर | — | 1 (Unlimited) |
| Qualification | — | Automotive / Industrial grade |