BSR315PH6327XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSR315PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP125H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSR315PH6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR315PH6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1
Series OptiMOS P-Channel —
FET Type P-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) -620 mA (Ta) 120 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 1.8 W (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 800 mOhm @ -620 mA, -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max VGS) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Input Capacitance (Ciss) 176 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 6 nC @ 10 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (TJ) —
Paket PG-SC59-3 / SOT-23-3 PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product family marking) —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Technology — SIPMOS (Small Signal Power MOSFET)
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (TJ)
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Configuration — Single
Channel Mode — Enhancement
MSL Seviyesi — 1 (Unlimited)
Qualification — Automotive / Industrial grade

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin