BSR315PH6327XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSR315PH6327XTSA1 bằng Infineon và BSP125H6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSP125H6327XTSA1 - 600V 120mA N-Ch SIPMOS | SOT-223 | Infineon
BSP125H6327XTSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSR315PH6327XTSA1 | BSP125H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSR315PH6327XTSA1 | BSP125H6327XTSA1 |
| Series | OptiMOS P-Channel | — |
| FET Type | P-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -620 mA (Ta) | 120 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 1.8 W (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 800 mOhm @ -620 mA, -10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | ±20 V (max VGS) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Input Capacitance (Ciss) | 176 pF @ 25 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 6 nC @ 10 V | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Hộp | PG-SC59-3 / SOT-23-3 | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số chân | 3 | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon product family marking) | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C (TJ) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Configuration | — | Single |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Cấp MSL | — | 1 (Unlimited) |
| Qualification | — | Automotive / Industrial grade |