FDS6575 vs IRF7351TRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা FDS6575 নির্দিষ্ট onsemi ও IRF7351TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | FDS6575 | IRF7351TRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | onsemi | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -20 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -10 A | 8 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | 13 mOhm max at VGS = -4.5 V | — |
| Gate Drive Voltage Range | 2.5 V to 8 V | — |
| গেট থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 24 nC |
| Technology | PowerTrench (rugged gate) | IR MOSFET (HEXFET trench) |
| প্যাকেজ | SOIC-8 (SO-8) | 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Power Dissipation | [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Configuration | Single MOSFET | Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) |
| Gate Source Voltage (VGS) Range | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF7351TRPBF |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 17.8 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) | — | 0.0137 ohm (13.7 mOhm) |
| Power Dissipation (PD) | — | 2 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | -55C to +150C (junction) |
| Typical Application | — | Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |