FDS6575 vs IRF7351TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار FDS6575 توسط onsemi و IRF7351TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر FDS6575 IRF7351TRPBF
برند onsemi Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) -10 A 8 A
On-Resistance (RDS(on)) 13 mOhm max at VGS = -4.5 V —
Gate Drive Voltage Range 2.5 V to 8 V —
ولتاژ آستانه گیت [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 24 nC
Technology PowerTrench (rugged gate) IR MOSFET (HEXFET trench)
بسته‌بندی SOIC-8 (SO-8) 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Configuration Single MOSFET Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge)
Gate Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (PBF suffix = lead-free)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7351TRPBF
On-Resistance RDS(on) max — 17.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) — 0.0137 ohm (13.7 mOhm)
Power Dissipation (PD) — 2 W
دمای کاری — -55C to +150C (junction)
Typical Application — Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters
Lead-Free — Yes
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت