FDS6575 vs IRF7351TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của FDS6575 bằng onsemi và IRF7351TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF - 60V 8A Dual N-Channel MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7351TRPBF - 60V 8A Dual N-Channel MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7351TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số FDS6575 IRF7351TRPBF
Thương hiệu onsemi Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) -10 A 8 A
On-Resistance (RDS(on)) 13 mOhm max at VGS = -4.5 V —
Gate Drive Voltage Range 2.5 V to 8 V —
Điện áp mức ngưỡng cửa [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 24 nC
Technology PowerTrench (rugged gate) IR MOSFET (HEXFET trench)
Hộp SOIC-8 (SO-8) 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Configuration Single MOSFET Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge)
Gate Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (PBF suffix = lead-free)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7351TRPBF
On-Resistance RDS(on) max — 17.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) — 0.0137 ohm (13.7 mOhm)
Power Dissipation (PD) — 2 W
Nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C (junction)
Typical Application — Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters
Lead-Free — Yes
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá