FDS6575 vs IRF7351TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از FDS6575 بذریعہ onsemi اور IRF7351TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر FDS6575 IRF7351TRPBF
برانڈ onsemi Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) -10 A 8 A
On-Resistance (RDS(on)) 13 mOhm max at VGS = -4.5 V —
Gate Drive Voltage Range 2.5 V to 8 V —
گیٹ تھریشولڈ وولٹیج [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 24 nC
Technology PowerTrench (rugged gate) IR MOSFET (HEXFET trench)
پیکیج SOIC-8 (SO-8) 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Configuration Single MOSFET Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge)
Gate Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (PBF suffix = lead-free)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7351TRPBF
On-Resistance RDS(on) max — 17.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) — 0.0137 ohm (13.7 mOhm)
Power Dissipation (PD) — 2 W
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (junction)
Typical Application — Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters
Lead-Free — Yes
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں